ROHM SiC MOSFET Evaluierungsplatine, 4th Generation SiC MOSFET Half Bridge Evaluation Board SiC MOSFET

Die ROHM P04SCT4018KE-EVK-001 bewältigt hohe Spannung und hohen Strom und muss unter verschiedenen Bedingungen bewertet werden, um die Betriebsbedingungen für die Optimierung von EMV-Rauschen und Stromversorgungseffizienz zu bestimmen, da diese Platine über mehrere Spannungs- und Signalquellen verfügt, die von externen Quellen geliefert werden. Diese Platine wurde mit dem optimalen Gate-Antriebsstromkreis für SCT4018KE und SCT4018KR entwickelt, da die Platine standardmäßig mit einer Reihe von LEDs ausgestattet ist, um den Betriebszustand der Platinen leicht zu überwachen.

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Schnelle umgekehrte Erholung
Einfache Parallelmontage
Einfach zu steuern