Infineon 1EDF5673K EiceDRIVER™ GaN gate driver IC Evaluierungsplatine, EVAL_1EDF_G1B_HB_GAN Halbbrücken-Treiber

Die Hochfrequenz-Halbbrücken-Evaluierungsplatine von Infineon mit EiceDRIVER™GaN, die Halbbrücken-Schaltkreisplattform verfügt über einen einzelnen PWM-Eingang für den Anschluss eines 50-Ω-Impulsgenerators. Das Design wird von einem einzigen 5-V-Netzteilversorgungseingang versorgt, der alles mit Strom versorgt, einschließlich der isolierten Gate-Treiber-Netzteile. Die Totzeit zwischen der Hoch- und Niederspannungsseite ist zunächst auf 100 ns eingestellt, ist aber mit dem Trimmtopf einstellbar. Eine externe Induktivität kann über den mitgelieferten steckbaren Steckverbinder angeschlossen werden. Die Ausgangs- und Busspannung kann bis zu 450 V betragen, begrenzt durch die Kondensatornennung. Diese Halbbrücke kann Dauerströme von 12 A und Spitzenströme von 35 A, hartes oder weiches Schalten, schalten. Die Betriebsfrequenz kann je nach Transistorverlust bis zu mehreren MHz betragen (begrenzt auf ca. 15 W pro Gerät mit geeignetem Kühlkörper und Luftstrom). Diese Systemlösung ist als Hardwareplatine oder Referenzdesign erhältlich.

Einfache GaN-Halbbrücke mit dediziertem GaN-Treiber Ics
Fähig für Schaltfrequenzen von mehreren MHz
Null-Rückgewinnung – kann zwischen hartem oder weichem Schalten wechseln
GaN-Transistoren verfügen über eine Kühlung auf der Oberseite für hohe Verlustleistung