Renesas Electronics Evaluierungsplatine, Evaluation Board Halbbrücken-Treiber

Das Evaluierungsboard von Renesas bietet eine schnelle und umfassende Methode zur Evaluierung des HIP2211 100-V-Hochfrequenz-Halbbrückentreibers mit 3 A Quelle und 4 A Senke zum Ansteuern der Gates von zwei N-Kanal-MOSFETs in einer Halbbrückenkonfiguration. Zwei N-Kanal-MOSFETs (mit doppelter Abmessung, die mehrere Gehäusearten wie TO220 und DPAK unterstützt) und ein Induktor-Kondensator-LC-Filter sind auf den Evaluierungsboards enthalten, um die Evaluierung einer halbbrückengesteuerten Last sowie einem synchronen Abwärtsregler zu ermöglichen.

Interner Pegelumschalter und Bootstrap-Diode für Gate-Treiber auf dem High-Side-NFET
Bis zu 100 V High-Side-Bootstrap-Referenz
6 V bis 18 V Bias-Versorgungsbetrieb
15 ns schnelle typische Ausbreitungsverzögerung und 2 ns typische Ausbreitungsverzögerung unterstützen einen Betrieb von bis zu 1 MHz