- RS Best.-Nr.:
- 273-2063
- Herst. Teile-Nr.:
- EVAL1ED3142MU12FSICTOBO1
- Marke:
- Infineon
Voraussichtlich ab 19.08.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück
88,38 €
(ohne MwSt.)
105,17 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
1 - 1 | 88,38 € |
2 - 4 | 86,05 € |
5 - 9 | 83,84 € |
10 + | 81,76 € |
- RS Best.-Nr.:
- 273-2063
- Herst. Teile-Nr.:
- EVAL1ED3142MU12FSICTOBO1
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Bewertungstafel für 1ED3142MU12F - 2300 V, 6,5 A, 3 kV (rms) einkanaliger isolierter Tortreiber
Der EVAL-1ED3142MU12F-SIC ist in einer Halbbrückenkonfiguration mit zwei Gate-Treiber-ICs (1ED3142MU12F) zum Antrieb von Netzschaltern wie IGBTs, MOSFETs und SiC-MOSFETs.
Diese Platine wird mit zwei CoolSiCTM-MOSFETs IMZA120R020M1H vorgespeichert geliefert, ein zusätzlicher Gate-Treiber-IC wird für das isolierte Überstrom-Feedback-Signal von der Hochspannungsseite zur Logiksteuerungsseite verwendet, ein schneller Betriebsverstärker wird als Komparator für die Überstromerkennung verwendet. Er eignet sich am besten für Doppelimpulsprüfungen.
1ED3142MU12F gehört zur EiceDRIVERTM Compact 1ED31xx-Familie (X3 Compact-Familie). Der 1ED3142MU12F bietet einen separaten Sink- und Quellenausgang, eine genaue und stabile Zeitplanung, eine aktive Abschaltung, um einen sicheren Leistungs-Transistor-Aus-Zustand zu gewährleisten, falls der Ausgangschip nicht an die Stromversorgung angeschlossen ist, Kurzschlussklemmen, um die Gate-Spannung während des Kurzschlusses zu begrenzen. Der Treiber kann über einen großen Versorgungsspannungsbereich, entweder unipolar oder bipolar, betrieben werden.
Diese Platine wird mit zwei CoolSiCTM-MOSFETs IMZA120R020M1H vorgespeichert geliefert, ein zusätzlicher Gate-Treiber-IC wird für das isolierte Überstrom-Feedback-Signal von der Hochspannungsseite zur Logiksteuerungsseite verwendet, ein schneller Betriebsverstärker wird als Komparator für die Überstromerkennung verwendet. Er eignet sich am besten für Doppelimpulsprüfungen.
1ED3142MU12F gehört zur EiceDRIVERTM Compact 1ED31xx-Familie (X3 Compact-Familie). Der 1ED3142MU12F bietet einen separaten Sink- und Quellenausgang, eine genaue und stabile Zeitplanung, eine aktive Abschaltung, um einen sicheren Leistungs-Transistor-Aus-Zustand zu gewährleisten, falls der Ausgangschip nicht an die Stromversorgung angeschlossen ist, Kurzschlussklemmen, um die Gate-Spannung während des Kurzschlusses zu begrenzen. Der Treiber kann über einen großen Versorgungsspannungsbereich, entweder unipolar oder bipolar, betrieben werden.
Bewertungstafel für 1ED3142MU12F - 2300 V, 6,5 A, 3 kV (rms) einkanaliger isolierter Tortreiber
EiceDRIVERTM Kompakt einkanalig isolierter Tortreiber 1ED31xx Familie (X3 kompakte Familie)
Für den Einsatz mit 650 V/1200 V/1700 V/2300 V/ IGBTs, Si- und SiC-MOSFETs
2300 V funktionelle Offset-Spannung für ausgewählte Anwendungen
Galvanisch isolierter Transformator-Gate-Treiber ohne Kern
6,5 A typischer Sink- und Quellen-Spitzenausgangsstrom
35 V absolute maximale Ausgangsspannung
45 ns Ausbreitungsverzögerung mit 20 ns Eingangsfilter
Hohe Gleichtakt-Übergangsimmunität CMTI >300 kV/μs
Separate Quellen- und Senkenausgänge
Kurzschlussklemmen und aktive Abschaltung
DSO-8 150-mil-Gehäuse mit schmalem Gehäuse
Für den Einsatz mit 650 V/1200 V/1700 V/2300 V/ IGBTs, Si- und SiC-MOSFETs
2300 V funktionelle Offset-Spannung für ausgewählte Anwendungen
Galvanisch isolierter Transformator-Gate-Treiber ohne Kern
6,5 A typischer Sink- und Quellen-Spitzenausgangsstrom
35 V absolute maximale Ausgangsspannung
45 ns Ausbreitungsverzögerung mit 20 ns Eingangsfilter
Hohe Gleichtakt-Übergangsimmunität CMTI >300 kV/μs
Separate Quellen- und Senkenausgänge
Kurzschlussklemmen und aktive Abschaltung
DSO-8 150-mil-Gehäuse mit schmalem Gehäuse
Vorteile
Integrierte Filter verringern den Bedarf an externen Filtern
Enge IC-zu-IC-Ausbreitungsverzögerung (max. 7 ns), Toleranz verbessert die Robustheit der Anwendung ohne Abweichungen aufgrund von Alterung, Strom und Temperatur
Geeignet für den Betrieb bei hoher Umgebungstemperatur und in Schnellschaltanwendungen
UL 1577 VISO = 3,6 kV (rms) für 1 s, 3,0 kV (rms) für 1 min
Eine enge Ausbreitungsverzögerung ermöglicht eine minimale Leerlaufzeit, um die Effizienz des Systems zu verbessern und die harmonische Verzerrung zu verringern
Der präzise Schwellenwert und die Zeitspanne in Kombination mit der UL 1577-Zertifizierung ermöglichen eine überlegene Anwendungssicherheit
Enge IC-zu-IC-Ausbreitungsverzögerung (max. 7 ns), Toleranz verbessert die Robustheit der Anwendung ohne Abweichungen aufgrund von Alterung, Strom und Temperatur
Geeignet für den Betrieb bei hoher Umgebungstemperatur und in Schnellschaltanwendungen
UL 1577 VISO = 3,6 kV (rms) für 1 s, 3,0 kV (rms) für 1 min
Eine enge Ausbreitungsverzögerung ermöglicht eine minimale Leerlaufzeit, um die Effizienz des Systems zu verbessern und die harmonische Verzerrung zu verringern
Der präzise Schwellenwert und die Zeitspanne in Kombination mit der UL 1577-Zertifizierung ermöglichen eine überlegene Anwendungssicherheit
Anwendungsbereich
EV-Ladung
Motorsteuerung und Antriebe
Photovoltaik
Servernetzteile
Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
Motorsteuerung und Antriebe
Photovoltaik
Servernetzteile
Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Funktion für Stromüberwachungseinheiten | IGBT, MOSFET-Treiber |
Zum Einsatz mit | MOSFET |
Kit-Klassifizierung | Evaluierungsplatine |
Vorgestelltes Gerät | Gate Driver IC |
Kit-Name | EVAL-1ED3142MU12F-SIC |
- RS Best.-Nr.:
- 273-2063
- Herst. Teile-Nr.:
- EVAL1ED3142MU12FSICTOBO1
- Marke:
- Infineon
Verwandte Produkte
- Infineon 1EDS20I12SV Evaluierungsplatine, EVAL-1EDS20I12SV...
- Infineon 6EDL04I06PT Evaluierungsplatine, EVAL-6EDL04I06PT...
- Infineon 2EDL05I06PF Evaluierungsplatine, EVAL-2EDL05I06PF...
- Infineon 1EDI60I12AF EVAL-1EDI60I12AF IGBT-Gate-Ansteuerung
- Infineon 2ED2106S06F EVAL-M1-2ED2106S IGBT-Gate-Ansteuerung
- Infineon 2EDL23I06PJ Evaluierungsplatine, EVAL-2EDL23I06PJ...
- Microchip 2-Channel Gate Driver Core Evaluierungsplatine, High...
- Infineon EiceDRIVER™ 1200 V isolated gate driver 1EDI60I12AF...