STMicroelectronics Mikrocontroller STM32 ARM Cortex M4 8 or 16bit SMD 1 Mbyte CSP 115-Pin 80MHz
- RS Best.-Nr.:
- 330-327
- Herst. Teile-Nr.:
- STM32L496WGY6PST
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Familie | STM32 | |
| Gehäusegröße | CSP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 115 | |
| Gerätekern | ARM Cortex M4 | |
| Datenbus-Breite | 8 or 16bit | |
| Programmspeicher-Größe | 1 Mbyte | |
| Grenzfrequenz | 80MHz | |
| Programmspeicher-Typ | Flash | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Familie STM32 | ||
Gehäusegröße CSP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 115 | ||
Gerätekern ARM Cortex M4 | ||
Datenbus-Breite 8 or 16bit | ||
Programmspeicher-Größe 1 Mbyte | ||
Grenzfrequenz 80MHz | ||
Programmspeicher-Typ Flash | ||
- Ursprungsland:
- TW
Bei den STMicroelectronics-Bausteinen handelt es sich um Ultra-Low-Power-Mikrocontroller, die auf dem leistungsstarken Arm Cortex M4 32-Bit-RISC-Kern basieren, der mit einer Frequenz von bis zu 80 MHz arbeitet. Der Cortex-M4-Kern verfügt über eine Fließkommaeinheit (FPU) mit einfacher Genauigkeit, die alle Arm-Befehle und -Datentypen zur Verarbeitung einfacher Genauigkeit unterstützt. Außerdem implementiert er einen vollständigen Satz von DSP-Befehlen und eine Speicherschutzeinheit (MPU), die die Anwendungssicherheit erhöht. Die STM32L496xx-Bausteine enthalten Hochgeschwindigkeitsspeicher (bis zu 1 MByte Flash-Speicher, 320 KByte SRAM), einen flexiblen externen Speicher-Controller (FSMC) für statische Speicher (für Bausteine mit 100 und mehr Pins), eine Quad-SPI-Flash-Speicherschnittstelle (für alle Bausteine verfügbar) und ein umfangreiches Angebot an erweiterten E/As und Peripheriegeräten, die mit zwei APB-Bussen, zwei AHB-Bussen und einer 32-Bit-Multi-AHB-Busmatrix verbunden sind.
Spannungsversorgung 1,71 V bis 3,6 V
VBAT-Modus 320 nA Versorgung für RTC und 32 x 32-Bit Backup-Register
Shutdown-Modus 25 nA (5 Wakeup-Pins)
Standby-Modus 108 nA (5 Wakeup-Pins)
Standby-Modus mit RTC 426 nA
Stop 2 Modus 2,57 μA, 2,86 μA mit RTC
Betriebsmodus 91 μA/MHz (LDO-Modus)
Betriebsmodus 37 μA/MHz (bei 3,3 V SMPS-Betrieb)
Batch Acquisition Mode (BAM)
Aufwachen aus dem Stop-Modus 5 μs
VBAT-Modus 320 nA Versorgung für RTC und 32 x 32-Bit Backup-Register
Shutdown-Modus 25 nA (5 Wakeup-Pins)
Standby-Modus 108 nA (5 Wakeup-Pins)
Standby-Modus mit RTC 426 nA
Stop 2 Modus 2,57 μA, 2,86 μA mit RTC
Betriebsmodus 91 μA/MHz (LDO-Modus)
Betriebsmodus 37 μA/MHz (bei 3,3 V SMPS-Betrieb)
Batch Acquisition Mode (BAM)
Aufwachen aus dem Stop-Modus 5 μs
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