Renesas Electronics Mikrocontroller RE01 ARM Cortex M0+ 32bit SMD 256 KB LFQFP 64-Pin 64MHz 128 KB RAM
- RS Best.-Nr.:
- 209-6438
- Herst. Teile-Nr.:
- R7F0E01182CFM#AA0
- Marke:
- Renesas Electronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Familie | RE01 | |
| Gehäusegröße | LFQFP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 64 | |
| Gerätekern | ARM Cortex M0+ | |
| Datenbus-Breite | 32bit | |
| Programmspeicher-Größe | 256 KB | |
| Grenzfrequenz | 64MHz | |
| RAM Speicher-Größe | 128 KB | |
| Anzahl der SPI-Kanäle | 2 | |
| Anzahl der I2C-Kanäle | 2 | |
| Versorgungsspannnung typ. | 1,6 → 3,6 V | |
| Ethernet-Kanal Anzahl max. | 0 | |
| Breite | 10mm | |
| Höhe | 1.4mm | |
| Anzahl der Ethernetkanäle | 0 | |
| Länge | 10mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Programmspeicher-Typ | Flash | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Abmessungen | 10 x 10 x 1.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Familie RE01 | ||
Gehäusegröße LFQFP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 64 | ||
Gerätekern ARM Cortex M0+ | ||
Datenbus-Breite 32bit | ||
Programmspeicher-Größe 256 KB | ||
Grenzfrequenz 64MHz | ||
RAM Speicher-Größe 128 KB | ||
Anzahl der SPI-Kanäle 2 | ||
Anzahl der I2C-Kanäle 2 | ||
Versorgungsspannnung typ. 1,6 → 3,6 V | ||
Ethernet-Kanal Anzahl max. 0 | ||
Breite 10mm | ||
Höhe 1.4mm | ||
Anzahl der Ethernetkanäle 0 | ||
Länge 10mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Programmspeicher-Typ Flash | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Abmessungen 10 x 10 x 1.4mm | ||
Die Renesas Electronics RE01 256 KB auf Basis der SOTB-Prozesstechnologie realisiert einen extrem niedrigen Stromverbrauch im aktiven und Standby-Betrieb sowie im Hochgeschwindigkeitsbetrieb (64 MHz) bei niedriger Spannung (1,62 V), was mit herkömmlichen Massen-Silizium-Verfahren nicht erreicht werden kann. Der RE01 wurde durch den EEMBC ULPMark Benchmark mit der höchsten Punktzahl von 705 für den ULPMark-CP zertifiziert.
Wirkstrom: 25 μA/MHz/12 μA/MHz (Ex DCDC)
Standby-Strom: 400 nA
Hochgeschwindigkeitsbetrieb 64 MHz bei niedriger Spannung 1,62 V
Standby-Strom: 400 nA
Hochgeschwindigkeitsbetrieb 64 MHz bei niedriger Spannung 1,62 V
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