Infineon Mikrocontroller XMC7200 ARM Cortex M7 32bit SMD 1024 KB TQFP 176-Pin 350MHz 32 KB RAM

Dieser Hochleistungs-MOSFET von Infineon ist für den Einsatz in verschiedenen Power-Management-Anwendungen konzipiert. Mit seinem TO-220-Gehäuse bietet er eine robuste Leistung mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 50 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 30 V. Mit einem niedrigen Durchlasswiderstand und einer hohen Verlustleistung sorgt dieser MOSFET für optimale Effizienz in anspruchsvollen elektrischen Systemen.

• Niedriger Drain-Source-Widerstand (7,8 mΩ) reduziert die Verlustleistung und verbessert die Betriebseffizienz
• Die maximale Verlustleistung von 68 W gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter hoher Last
• Breiter Gate-Schwellenspannungsbereich (1V bis 2,2V) bietet flexible Steuerung für unterschiedliche Spannungspegel
• Hohe thermische Stabilität mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C
• Enhancement-Mode-Design für effizientes Schalten und präzise Steuerung des Stromflusses
• Robuste Gate-Source-Spannungstoleranz (-20V bis +20V) gewährleistet Schutz vor Überspannungen
• Einzel-Transistor-Konfiguration ideal für platzbeschränkte Designs

• Geeignet für DC/DC-Wandler und Stromversorgungen
• Einsatz in der Synchrongleichrichtung zur Verbesserung des Umrichterwirkungsgrads
• Ideal für die Motorsteuerung in industriellen Automatisierungssystemen
• Eingesetzt in Batteriemanagementsystemen für Elektrofahrzeuge
• Anwendbar in erneuerbaren Energiesystemen und Unterhaltungselektronik

Der niedrige RDS(on) minimiert Leitungsverluste und Wärmeentwicklung, verbessert die Gesamteffizienz von Stromversorgungssystemen und sorgt dafür, dass mehr Energie in nützliche Arbeit umgewandelt wird, anstatt als Wärme verloren zu gehen.

Mit einer maximalen Verlustleistung von 68 W ist das Gerät so konstruiert, dass es während des Betriebs eine beträchtliche Wärmeentwicklung bewältigt und auch unter anspruchsvollen Bedingungen stabil bleibt.

Der weite Gate-Schwellenspannungsbereich (1V bis 2,2V) sorgt für Flexibilität beim Schaltungsdesign, so dass der MOSFET mit verschiedenen Steuerspannungen effizient arbeiten kann und sich damit für verschiedene Anwendungen eignet, die ein präzises Spannungsmanagement erfordern.