STMicroelectronics SuperMESH Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 450 V / 0.4 A 2 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 151-447P
- Herst. Teile-Nr.:
- STS1DNC45
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 151-447P
- Herst. Teile-Nr.:
- STS1DNC45
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 450V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 450V | ||
Serie SuperMESH | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Power MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der Super MESH-Technologie entwickelt, die durch die Optimierung eines etablierten Power MESH-Layouts erreicht wird. Zusätzlich zu einer erheblichen Verringerung des Widerstands am Strom, wurde dieses Gerät entwickelt, um ein hohes Maß an dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen zu gewährleisten.
Standardkontur für einfache automatisierte Montage an der Oberflächenmontage
Gate-Ladung minimiert