STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 800 V / 1 A 45 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 151-905
- Herst. Teile-Nr.:
- STD1NK80ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
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| 200 - 480 | 0,899 € | 17,98 € |
| 500 - 980 | 0,834 € | 16,68 € |
| 1000 - 1980 | 0,765 € | 15,30 € |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-905
- Herst. Teile-Nr.:
- STD1NK80ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 45W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie SuperMESH | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 45W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist ein Hochspannungsgerät mit zenergeschütztem N-Kanal, das mit der SuperMESH-Technologie entwickelt wurde, einer Optimierung des etablierten PowerMESH. Neben einer erheblichen Reduzierung des Widerstands im eingeschalteten Zustand ist dieses Gerät so konzipiert, dass eine hohe dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen gewährleistet ist.
Gate-Ladung minimiert
Sehr niedrige innere Kapazität
Zener-geschützt
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