STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 30 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 151-938P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD12NF06T4
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 200 Stück (geliefert auf Rolle)*
164,60 €
(ohne MwSt.)
195,80 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 1.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 200 - 480 | 0,823 € |
| 500 - 980 | 0,762 € |
| 1000 - 1980 | 0,702 € |
| 2000 + | 0,675 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-938P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD12NF06T4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Power MOSFET-Serie von STMicroelectronics wurde mit dem STripFET-Prozess entwickelt, der speziell entwickelt wurde, um die Eingangskapazität und die Gate-Ladung zu minimieren. Dadurch ist das Gerät für den Einsatz als Primärschalter in fortschrittlichen hocheffizienten isolierten DC/DC-Wandlern für Telekommunikations- und Computeranwendungen geeignet.
Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit
100 % Avalanche-getestet
Niedrige Gate-Ladung