STMicroelectronics MDmesh II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 11 A, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 151-952P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD13NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
117,40 €
(ohne MwSt.)
139,70 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 2.255 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | 2,348 € |
| 100 - 495 | 2,172 € |
| 500 - 995 | 2,002 € |
| 1000 + | 1,932 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-952P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD13NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | MDmesh II | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.36Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.6 mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie MDmesh II | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.36Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.6 mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der zweiten Generation der MDmesh-Technologie entwickelt. Dieser revolutionäre Leistungs-MOSFET verbindet eine vertikale Struktur mit dem Streifenlayout des Unternehmens, um einen der weltweit niedrigsten Widerstands- und Gate-Ladungen zu erzielen. Er ist daher für die anspruchsvollsten Konverter mit hohem Wirkungsgrad geeignet.
100 % Avalanche-getestet
Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung
Niedriger Gate-Eingangswiderstand