STMicroelectronics HB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V 250 W, 9-Pin ACEPACK SMIT
- RS Best.-Nr.:
- 152-183P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGSH80HB65DAG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STGSH80HB65DAG
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | ACEPACK SMIT | |
| Serie | HB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 456nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.05mm | |
| Länge | 25.20mm | |
| Breite | 33.20 mm | |
| Normen/Zulassungen | Automotive-grade | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße ACEPACK SMIT | ||
Serie HB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 456nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.05mm | ||
Länge 25.20mm | ||
Breite 33.20 mm | ||
Normen/Zulassungen Automotive-grade | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Gerät von STMicroelectronics kombiniert zwei IGBTs und Dioden in einer Halbbrückentopologie, die auf einem sehr kompakten und robusten Gehäuse montiert ist, das leicht auf der Oberfläche montiert werden kann. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie HB, die sowohl in der Leitfähigkeit als auch in den Schaltverlusten für sanfte Schaltung optimiert sind. Eine Freilaufdiode mit einer geringen Abwärtsspannung ist in jedem Schalter enthalten.
AQG 324 qualifiziert
Hochgeschwindigkeits-Schalterserie
Minimierter Schwanzstrom
Enge Parameterverteilung
Geringer Wärmewiderstand dank DBC-Substrat