Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 200 A 135 W, 5-Pin PSMN1R7-25YLDX LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-281
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R7-25YLDX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

PSM

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

135W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia verfügt über das NextPowerS3-Portfolio, das die einzigartige SchottkyPlus-Technologie von NXP nutzt, und bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine niedrige Spitzenleistung, die üblicherweise mit MOSFETs mit einer integrierten Schottky- oder Schottky-ähnlichen Diode verbunden ist, aber ohne problematischen hohen Leckstrom. NextPowerS3 ist besonders geeignet für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad bei hohen Schaltfrequenzen.

Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

Hochzuverlässiger Clip, geklebt und mit Lötmatte befestigt, Power SO8-Gehäuse

Wave-Lötfähig

Super-schnelles Schalten mit sanfter Wiederherstellung

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