Nexperia NextPower-S3 Schottky-Plus technology Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 290 A 333 W, 5-Pin

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219-338
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R0-40YSHX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

290A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

NextPower-S3 Schottky-Plus technology

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

87nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia verfügt über Advanced TrenchMOS Super Junction-Technologie. Dieses Produkt wurde für Hochleistungs-Leistungsschaltanwendungen entwickelt und qualifiziert. Er wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt, einschließlich synchroner Gleichrichter, DC/DC-Wandler, Server-Netzteile, bürstenlose DC-Motorsteuerung, Batterieschutz und Lastschalter/eFuse-Lösungen. Es bietet eine hohe Effizienz und zuverlässige Leistung in einer Vielzahl von Stromverwaltungsaufgaben.

Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

Hochzuverlässiger Clip, geklebt und mit Lötmatte befestigt, Power SO8-Gehäuse

Wave-Lötfähig

Super-schnelles Schalten mit sanfter Wiederherstellung

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