Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 160 A 254 W, 5-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-378
Herst. Teile-Nr.:
PSMN3R3-80YSFX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

160A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Verlustleistung Pd

254W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia ist für 175 °C qualifiziert. Es ist ideal für Industrie- und Verbraucheranwendungen. Er eignet sich für synchrone Gleichrichter in AC/DC- und DC/DC-Wandlern, primäres Seitenschalten in 48-V-DC/DC-Systemen, BLDC-Motorsteuerung, USB-PD- und mobile Schnellladeadapter sowie Flyback- und Resonanztopologien.

Starke Lawinen-Energieeinstufung

Lawinengeprüft und 100 % geprüft

Ha-frei und RoHS-konform

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