Nexperia PXN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 50 A 58 W, 8-Pin MLPAK

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RS Best.-Nr.:
219-390
Herst. Teile-Nr.:
PXN012-100QSJ
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

PXN

Gehäusegröße

MLPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

58W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.3mm

Höhe

0.8mm

Breite

3.3 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia wird in einem MLPAK33-Gehäuse geliefert. Er wurde für eine Vielzahl von Standardanwendungen entwickelt. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören synchrone Gleichrichtung auf der zweiten Seite, DC/DC-Wandler, Haushaltsgeräte, Motorantriebe, Lastschaltung und LED-Beleuchtung.

Kompatibilität mit Standardniveau

Trench MOSFET-Technologie

Wärmeeffizientes Gehäuse in einem kleinen Formfaktor

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