Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 240 A 238 W, 5-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-432
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R5-40YSDX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

240A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

PSM

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

238W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia nutzt die Advanced TrenchMOS Super Junction-Technologie, die für Hochleistungs-Leistungsschaltungen optimiert ist. Es ist ideal für Anwendungen wie synchrone Gleichrichter, DC/DC-Wandler, Server-Netzteile, bürstenlose DC-Motorsteuerung, Batterieschutz und Einschaltmanagement.

Lawinengeprüft, 100 % geprüft

Starke SOA-Einstufung

Belichtete Drähte können mit Wellenlöten gelötet werden

Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

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