Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 320 A 333 W, 5-Pin PSMNR56-25YLEX LFPAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

3,76 €

(ohne MwSt.)

4,47 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1.500 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 93,76 €
10 - 993,38 €
100 - 4993,12 €
500 - 9992,89 €
1000 +2,59 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-477
Herst. Teile-Nr.:
PSMNR56-25YLEX
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

320A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.63mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-ASFET von Nexperia in einem LFPAK56-Gehäuse ist für einen niedrigen RDSon und einen starken sicheren Betriebsbereich optimiert, womit er sich ideal für Hot-Swap-, Inrush- und Linearmodusanwendungen eignet. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören Hot-Swap in 12-V- bis 20-V-Systemen, E-Sicherung, DC-Schalter, Lastschalter und Batterieschutz.

Kupferclip für niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

LFPAK-Gehäuse mit hoher Zuverlässigkeit

Qualifiziert für 175 °C

Verwandte Links