Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 130 W, 5-Pin LFPAK

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-492
Herst. Teile-Nr.:
PSMN5R5-60YS,115
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

130W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.1 mm

Länge

5mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

The Nexperia N-Channel MOSFET is housed in an LFPAK package and qualified to 175°C. It is designed for a wide range of industrial, communications, and domestic applications. Key uses include motor control, server power supplies, DC-to-DC converters, lithium-ion battery protection and load switching.

Advanced TrenchMOS provides low RDSon and low gate charge

High efficiency in switching power converters

Improved mechanical and thermal characteristics

Verwandte Links