Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 130 W, 5-Pin PSMN5R5-60YS,115 LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-492
Herst. Teile-Nr.:
PSMN5R5-60YS,115
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

130W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Breite

4.1 mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia ist in einem LFPAK-Gehäuse untergebracht und für 175 °C qualifiziert. Er wurde für eine Vielzahl von industriellen, Kommunikations- und Haushaltsanwendungen entwickelt. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören Motorsteuerung, Server-Netzteile, DC/DC-Wandler, Lithium-Ion-Batterieschutz und Lastschaltung.

Advanced TrenchMOS bietet einen niedrigen RDSon und eine niedrige Gate-Ladung

Hoher Wirkungsgrad in Schaltstromwandlern

Verbesserte mechanische und thermische Eigenschaften

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