onsemi NTD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 600 V / 13 A 89 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 220-565P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTD280N60S5Z
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | NTD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 224mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17.9nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-Free, 100% Avalanche Tested | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie NTD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 224mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.9nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-Free, 100% Avalanche Tested | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die MOSFET-Easy-Drive-Serie von ON Semiconductor bietet eine hervorragende Schaltleistung ohne Abstriche bei der Benutzerfreundlichkeit und bei EMI-Problemen sowohl für harte als auch für weiche Schalttopologien.
Halogenfrei
RoHS-konform