onsemi NVMFWS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 253 A 194 W, 5-Pin DFNW-5
- RS Best.-Nr.:
- 220-570P
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFWS1D5N08XT1G
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 253A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | DFNW-5 | |
| Serie | NVMFWS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.43mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 194W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 6 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 253A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße DFNW-5 | ||
Serie NVMFWS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.43mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 194W | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Länge 5mm | ||
Breite 6 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der MOSFET von ON Semiconductor im 5x6-mm-Gehäuse mit flachen Anschlussdrähten wurde für kompakte und effiziente Designs entwickelt und bietet eine hohe thermische Leistung. Option für benetzbare Flanken zur verbesserten optischen Inspektion erhältlich. AEC-Q101-qualifizierter MOSFET und PPAP-fähig, geeignet für Automobilanwendungen.
Halogenfrei
RoHS-konform