onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 111 A 53 W, 5-Pin NTMFS2D3N04XMT1G DFN-5
- RS Best.-Nr.:
- 220-602
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS2D3N04XMT1G
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
4,57 €
(ohne MwSt.)
5,44 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 03. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,457 € | 4,57 € |
| 100 - 240 | 0,436 € | 4,36 € |
| 250 - 490 | 0,403 € | 4,03 € |
| 500 - 990 | 0,371 € | 3,71 € |
| 1000 + | 0,358 € | 3,58 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-602
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS2D3N04XMT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 111A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DFN-5 | |
| Serie | NTMFS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.35mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22.1nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 53W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 111A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DFN-5 | ||
Serie NTMFS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.35mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22.1nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 53W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 5mm | ||
Breite 6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Die ON Semiconductor Power-MOSFET-Technologie mit klassenbestem On-Widerstand für Motortreiberanwendungen. Ein geringerer On-Widerstand und eine geringere Gate-Ladung können Leitungsverluste und Antriebsverluste reduzieren. Eine gute Softness-Steuerung für die Rückwärtserholung der Body-Diode kann die Belastung durch Spannungsspitzen ohne zusätzliche Snubber-Schaltung in der Anwendung reduzieren.
Halogenfrei
RoHS-konform
Verwandte Links
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal 5-Pin NTMFS0D9N04XLT1G DFN-5
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal 5-Pin NTMFS1D1N04XMT1G DFN-5
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal 5-Pin NTMFS0D7N04XLT1G DFN-5
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal 5-Pin NTMFS4D0N08XT1G DFN-5
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal 5-Pin NTMFS1D3N04XMT1G DFN-5
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal 5-Pin NTMFS0D6N04XMT1G DFN-5
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal 5-Pin NTMFS2D5N08XT1G DFN-5
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal 5-Pin NTMFS0D5N04XMT1G DFN-5
