Teile-Nr.

ROHM RJ1 Typ N-Kanal 1 MOSFET 150 V Erweiterung / 105 A 181 W, 3-Pin TO-263AB

Name: ROHM RJ1 Typ N-Kanal 1 MOSFET 150 V Erweiterung / 105 A 181 W, 3-Pin TO-263AB
Brand: ROHM
SKU: 264-880P
Availability: InStock

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	105A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Serie	RJ1
	Gehäusegröße	TO-263AB
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	8.2mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	181W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	130nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Anzahl der Elemente pro Chip	1

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	Marke ROHM
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 105A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Serie RJ1
	Gehäusegröße TO-263AB
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.2mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 181W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 130nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Anzahl der Elemente pro Chip 1

Der ROHM Nch 150V 170A TO-263AB Leistungs-MOSFET mit niedrigem On-Widerstand und hoher Leistung in einem kleinen Gehäuse, geeignet zum Schalten.

Geringer Durchlasswiderstand

Kleines Gehäuse für hohe Leistung (TO263AB)

Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform

100% UIS-geprüft

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