ROHM RD3P06BBKH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 59 A 76 W, 8-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 264-943P
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3P06BBKHRBTL
- Marke:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
45,80 €
(ohne MwSt.)
54,50 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 85 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | 0,916 € |
| 100 - 495 | 0,848 € |
| 500 - 995 | 0,78 € |
| 1000 + | 0,752 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-943P
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3P06BBKHRBTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 59A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | RD3P06BBKH | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.8mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 76W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 59A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie RD3P06BBKH | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.8mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 76W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der ROHM-MOSFET wurde für robuste Anwendungen entwickelt, die hohe Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Mit einer Ausschaltspannung von bis zu 100 V und einem Dauerstrom von 59 A ist dieses Gerät für anspruchsvolle Aufgaben im Automobil- und Industriebereich konzipiert. Er verfügt über ein kompaktes DPAK/TO-252-Gehäuse, das eine einfache Integration in verschiedene Schaltungsdesigns ermöglicht.
Geeignet für verschiedene Anwendungen, einschließlich Automobil- und Industrieelektronik
Gepulster Ableitstrom von bis zu 118 A unterstreicht die Vielseitigkeit in anspruchsvollen Umgebungen
Verwendung einer Pd-freien Beschichtung, die die Kompatibilität mit modernen Produktionsprozessen gewährleistet