ROHM RD3G08CBLHRB N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 40 V / 80 A 96 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 264-956P
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3G08CBLHRBTL
- Marke:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
55,30 €
(ohne MwSt.)
65,80 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 2.475 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | 1,106 € |
| 100 - 495 | 1,024 € |
| 500 - 995 | 0,944 € |
| 1000 + | 0,91 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-956P
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3G08CBLHRBTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | RD3G08CBLHRB | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.2mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie RD3G08CBLHRB | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.2mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der ROHM-MOSFET, der sich durch seine beeindruckende Leistung in verschiedenen Anwendungen auszeichnet. Dieses auf hohe Effizienz ausgelegte Bauteil zeichnet sich durch eine hohe Leistung bei minimaler Wärmeentwicklung aus und ist damit ideal für anspruchsvolle Automobil- und Industrieumgebungen. Sein kompaktes DPAK-Gehäuse gewährleistet eine einfache Integration in platzbeschränkte Layouts, während die RoHS-konforme, bleifreie Konstruktion die Einhaltung moderner Umweltstandards garantiert.
Entspricht den RoHS-Normen zur Gewährleistung der Umweltsicherheit
Kompaktes DPAK-Gehäuse ermöglicht platzsparende Designs
Getestet unter strengen Bedingungen für garantierte Zuverlässigkeit
