ROHM BD9E203FP4 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 28 V / 2 A, 6-Pin TSOT-23-6CJ
- RS Best.-Nr.:
- 265-022P
- Herst. Teile-Nr.:
- BD9E203FP4-ZTL
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 28V | |
| Serie | BD9E203FP4 | |
| Gehäusegröße | TSOT-23-6CJ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 185mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 2.8mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 28V | ||
Serie BD9E203FP4 | ||
Gehäusegröße TSOT-23-6CJ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 185mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 2.8mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der hochmoderne synchrone DC/DC-Abwärtswandler von ROHM wurde entwickelt, um außergewöhnliche Leistungen für Anwendungen zu liefern, die ein effizientes Energiemanagement erfordern. Durch die Integration von Leistungs-MOSFETs mit niedrigem On-Widerstand und einer fortschrittlichen Stromregelung bietet dieser Baustein eine zuverlässige Spannungsregelung von 4,5 V bis 28 V.
Integrierter Überspannungsschutz zum Schutz vor Spannungsspitzen
Überstrom- und Kurzschlussschutz gewährleisten die Zuverlässigkeit des Geräts
Niedriger Abschaltstrom trägt zu Energieeinsparungen im Standby-Modus bei
Konzipiert für hohe Effizienz bei einem breiten Spektrum von Eingangs- und Ausgangskonfigurationen
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