ROHM R65 Typ N-Kanal 1 MOSFET 30 V Erweiterung / 125 A 78 W, 8-Pin HSMT-8

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Herst. Teile-Nr.:
RH6E040BGTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

125A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

R65

Gehäusegröße

HSMT-8

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

78W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30.0nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der ROHM Power MOSFET verfügt über einen geringen Widerstand beim Einschalten und ist in einem kompakten, leistungsstarken, kleinen, geformten Gehäuse untergebracht. Es ist gut geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Schaltungen, Motorantriebe und DC/DC-Wandler, und bietet eine effiziente Leistung in platzschnellen Umgebungen.

Pb-freie Beschichtung

RoHS-Konformität

Hochleistungs-Kleinformgehäuse

Geringer Durchlasswiderstand

100 Prozent Rg- und UIS-getestet

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