onsemi NXH N/P-Kanal-Kanal Dual, THT MOSFET 1200 V / 800 A, 11-Pin PIM11

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RS Best.-Nr.:
277-059
Herst. Teile-Nr.:
NXH800H120L7QDSG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

800 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Serie

NXH

Gehäusegröße

PIM11

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

11

Channel-Modus

Enhancement

Transistor-Werkstoff

Silicon

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Ursprungsland:
CN
Das Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul von ON Semiconductor verfügt über integrierte Field Stop Trench 7-IGBTs und Gen. 7-Dioden, die für geringere Leitungs- und Schaltverluste sorgen. Diese Konstruktion ermöglicht einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit. Das Modul ist als 2-in-1-Halbbrücke mit 1200 V und 800 A konfiguriert und eignet sich damit ideal für Anwendungen, die eine robuste Leistung und einen optimalen Wirkungsgrad der Leistungsumwandlung erfordern.

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