Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 637 A 333 W, 9-Pin PG-TTFN-9

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Herst. Teile-Nr.:
IQDH45N04LM6CGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

637A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PG-TTFN-9

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

9

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
AT
Der MOSFET von Infineon verfügt über einen erweiterten Leistungstransistor, der sich in Hochleistungsanwendungen auszeichnet und außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit bietet. Er wurde im Rahmen der OptiMOS 6-Serie entwickelt und zeichnet sich durch beeindruckende elektrische Eigenschaften aus, die einen neuen Standard für die MOSFET-Technologie setzen. Mit 100 %iger Lawinenprüfung können sich die Benutzer auf seine Robustheit verlassen, egal ob sie in Leistungsmanagement- oder Motorsteuerungsanwendungen eingesetzt werden. Darüber hinaus gewährleisten die RoHS-Konformität und die Halogenfreiheit die Einhaltung strenger Umweltstandards und machen sie zu einer guten Wahl für umweltbewusste Projekte.

N-Kanal-Design für Anwendungen auf Logikebene

Hervorragender Wärmewiderstand für die Wärmeableitung

Entwickelt für schnelle Schaltleistung

Avalanche bewertet für Zuverlässigkeit unter Stress

Pb-frei und RoHS-konform für Umweltfreundlichkeit

Halogenfreie Konstruktion erfüllt Sicherheitsstandards

JEDEC-zertifiziert für industrielle Leistung

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