Infineon SIPMOS BUZ30AHXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 21 A 125 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 298-342
- Herst. Teile-Nr.:
- BUZ30AHXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Alternative
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- RS Best.-Nr.:
- 298-342
- Herst. Teile-Nr.:
- BUZ30AHXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 21 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 130 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.1V | |
| Verlustleistung max. | 125 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 10mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 4.4mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 9.25mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Serie | SIPMOS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 21 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 200 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 130 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.1V | ||
Verlustleistung max. 125 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 10mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 4.4mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 9.25mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Serie SIPMOS | ||