Infineon HEXFET IRF7530TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,4 A 1,3 W, 8-Pin MSOP

RS Best.-Nr.:: 301-754
Herst. Teile-Nr.:: IRF7530TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF7530TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,4 A 1,3 W, 8-Pin MSOP

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RS Best.-Nr.:: 301-754
Herst. Teile-Nr.:: IRF7530TRPBF
Marke:: Infineon

IRF7530TRPBF HEXFET® Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	5,4 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	MSOP
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	30 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.2V
Gate-Schwellenspannung min.	0.6V
Verlustleistung max.	1,3 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	18 nC @ 4,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	3mm
Breite	3mm
Höhe	0.86mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon HEXFET IRF7530TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,4 A 1,3 W, 8-Pin MSOP

Zweifacher N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Infineon

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