STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 350 A 188 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 330-579
- Herst. Teile-Nr.:
- STL325N4F8AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.85mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.85mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus von STMicroelectronics wurde in STripFET F8-Technologie entwickelt und verfügt über eine verbesserte Trench-Gate-Struktur. Er bietet eine hochmoderne Leistungskennzahl mit sehr geringem Durchlasswiderstand, reduzierten internen Kapazitäten und Gate-Ladung, was ein schnelleres und effizienteres Schalten ermöglicht.
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Niedrige Gate-Ladung Qg
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