Microchip VP3203 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V, 3-Pin VP3203N3-G TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 332-980
- Herst. Teile-Nr.:
- VP3203N3-G
- Marke:
- Microchip
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Serie | VP3203 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Serie VP3203 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Microchip ist ein Anreicherungstransistor mit niedrigem Schwellenwert, der eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist.
Frei von Sekundärpannen
Geringer Leistungsbedarf des Antriebs
Einfaches Parallelisieren
Niedriger CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Ausgezeichnete thermische Stabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
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