Microchip TN0604 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 333-281
- Herst. Teile-Nr.:
- TN0604N3-G
- Marke:
- Microchip
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- TN0604N3-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | TN0604 | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie TN0604 | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Microchip Enhancement-Mode-Transistor verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist.
1.6V maximale untere Schwelle
Hohe Eingangsimpedanz
140 pF typische niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand
Frei von Sekundärpannen
Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage
