Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 445 A, 8-Pin PG-WHSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 348-890
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD009N06NM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 445 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | PG-WHSON-8 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 445 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße PG-WHSON-8 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon Power-MOSFET hat einen niedrigen RDS(on) von 0,9 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden Wärmeleistung für einfaches Verlustleistungsmanagement.
Minimierte Leitungsverluste
Schnelles Umschalten
Reduziertes Überschwingen der Spannung
Schnelles Umschalten
Reduziertes Überschwingen der Spannung
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