Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 60 A 234 W, 4-Pin AIMZA75R027M1HXKSA1
- RS Best.-Nr.:
- 348-941
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMZA75R027M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
18,25 €
(ohne MwSt.)
21,72 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 240 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 18,25 € |
| 10 - 99 | 16,43 € |
| 100 + | 15,15 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 348-941
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMZA75R027M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-4 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 36mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 234W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 49nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße PG-TO247-4 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 36mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 234W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Infineon 750 V CoolSiC MOSFET basiert auf der soliden Siliziumkarbid-Technologie, die Infineon in mehr als 20 Jahren entwickelt hat. Der 750V CoolSiC MOSFET nutzt die Eigenschaften des Wide BandgapSiC-Materials und bietet eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit. Er eignet sich für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen und ermöglicht eine vereinfachte und kosteneffiziente Bereitstellung von Systemen mit höchster Effizienz.
Proprietäre Die-Attach-Technologie von Infineon
Treiberquellen-Pin verfügbar
Erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit für Busspannungen über 500 V
Hervorragende Effizienz bei harten Schaltvorgängen
Höhere Schaltfrequenz in weich schaltenden Topologien
Robustheit gegen parasitäres Einschalten bei unipolarer Gate-Ansteuerung
Geringere Schaltverluste durch verbesserte Gate-Steuerung
Verwandte Links
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin IMZA75R027M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin IMZA75R040M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin AIMZA75R020M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin AIMZA75R060M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin AIMZA75R090M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin AIMZH120R010M1TXKSA1
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin IMZA75R060M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin IMZA75R090M1HXKSA1
