Infineon Trench-IGBT 3 FB50R07W2E3_B23 Typ P-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET Entleerung 20 mW EasyPIM

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RS Best.-Nr.:
348-972
Herst. Teile-Nr.:
FB50R07W2E3B23BOMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

Serie

FB50R07W2E3_B23

Gehäusegröße

EasyPIM

Montageart

Schraubanschlussklemme

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

1.95V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Trench-IGBT 3

Normen/Zulassungen

IEC 60747, 60749, 60068

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE
Das Infineon EasyPIM 2B 650 V, 50 A Interleaved PFC Stage integriert einen Gleichrichter, einen zweistufigen PFC-Kanal und eine Wechselrichterstufe in einem kompakten Modul und bietet damit eine platzsparende Lösung für Leistungsanwendungen. Es ist mit einer sehr geringen Streuinduktivität ausgestattet und sorgt so für minimale Verlustleistung und verbesserte Schalteffizienz. Die Hochgeschwindigkeits-H5-Technologie verbessert die PFC-Stufe und sorgt für eine höhere Effizienz und schnellere Reaktionszeiten. Dieses Modul unterstützt höhere Schaltfrequenzen von bis zu 50 kHz für die PFC-Stufe und ermöglicht so eine bessere Leistung in anspruchsvollen Anwendungen. Der Trenchstop IGBT 3 und die emittergesteuerten 3 Dioden verbessern die Zuverlässigkeit und die Betriebseffizienz weiter.

Kompaktes Design mit Easy 2B-Paket

Bestes Kosten-Leistungs-Verhältnis, das zu reduzierten Systemkosten führt

Ermöglicht Hochfrequenzbetrieb und reduzierte Kühlanforderungen

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