Infineon OptiMOS-TM7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 414 A 179 W, 8-Pin IAUCN04S7N005ATMA1
- RS Best.-Nr.:
- 349-007
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUCN04S7N005ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 414A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8-43 | |
| Serie | OptiMOS-TM7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 98nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 414A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8-43 | ||
Serie OptiMOS-TM7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 98nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
MOSFET der Serie Infineon IAU, 414 A maximaler durchgehender Ablassstrom, 40 V maximale Ablassquellenspannung – IAUCN04S7N005ATMA1
Dieser Softstarter wurde für die dreiphasige Motorsteuerung entwickelt und bietet eine Nennleistung von 22 kW und unterstützt eine Spannung von 400 V ac. Es verfügt über eine kompakte Bauweise für die Oberflächenmontage, mit Abmessungen von 55 mm Breite und 170 mm Tiefe. Das Gerät kann mit einem Nennstrom von 45 A betrieben werden, womit es für anspruchsvolle Anwendungen in industriellen Umgebungen geeignet ist.
Merkmale und Vorteile
• Integriertes Bypass-Kontaktsystem reduziert Energieverluste
• Thyristortechnologie bietet zuverlässige Leistung
• Schutzart IP20 gewährleistet Schutz gegen feste Fremdkörper
• Arbeitet in einem Temperaturbereich von -25°C bis +60°C
• Unterstützt verschiedene Leiterquerschnitte für flexible Installation
• Bietet Sanftanlauf-Fähigkeit zur Verlängerung der Motorlebensdauer
Anwendungen
• Einsatz in Automatisierungssystemen zur Motorsteuerung
• Geeignet für mechanische Systeme, die einen reibungslosen Motorstart erfordern
• in industriellen Geräten und Maschinen
• Wirksam bei der Reduzierung von Drehmomentspitzen während des Motorstarts
Was sind die Betriebsparameter des Sanftanlaufgeräts unter verschiedenen Bedingungen?
Bei 40 °C hält er einen Nennstrom von 45 A aufrecht, der jedoch leicht auf 42 A bei 50 °C und 39 A bei 60 °C abnimmt, was einen effizienten Betrieb innerhalb einer bestimmten Temperatur gewährleistet
Wie bewältigt das Gerät Spannungsänderungen während des Betriebs?
Dieses Gerät arbeitet effektiv von 200 V bis 480 V mit Toleranzen von -15 % bis +10 %, sodass es sich an verschiedene Spannungsumgebungen anpassen kann und gleichzeitig die Stabilität aufrechterhält.
Gibt es Einschränkungen in Bezug auf die Schutzfunktionen?
Das Gerät umfasst keinen internen Schutz oder einstellbare Strombegrenzungen, stattdessen konzentriert es sich auf eine optimale Leistung ohne integrierten Überlastschutz.
Welche Installationsspezifikationen sollte ich beachten?
Es kann in einer vertikalen Montageposition installiert werden und erfordert einen bestimmten Abstand für nebeneinander liegende Anordnungen, um eine sichere und effektive Integration in vorhandene Systeme zu gewährleisten.
Welche Arten von Verdrahtung können für Anschlussklemmenanschlüsse untergebracht werden?
Er nimmt feste und verflochtene Drähte von 1,5 mm2 bis 35 mm2 auf und bietet Platz für eine Vielzahl von
