Infineon IMB N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 189 A 800 W, 7-Pin PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 349-092
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG120R008M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
32,50 €
(ohne MwSt.)
38,68 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 685 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 32,50 € |
| 10 - 99 | 29,26 € |
| 100 + | 26,98 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-092
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG120R008M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 189A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | IMB | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 195nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 800W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Breite | 10.2mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Länge | 15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 189A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie IMB | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 195nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 800W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Breite 10.2mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Höhe 4.5mm | ||
Länge 15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
MOSFET der Serie IMB von Infineon, 1200 V Drain-Source-Spannung, 189 A kontinuierlicher Drain-Strom – IMBG120R008M2HXTMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für anspruchsvolle Leistungsschaltumgebungen entwickelt wurde. Er ist für oberflächenmontierte Anwendungen vorgesehen, bei denen eine hohe Strombelastbarkeit und eine hohe Temperaturtoleranz erforderlich sind. Die Komponente entspricht den anerkannten Branchenkonventionen und eignet sich für den Einsatz in industriellen Leistungsstufen, die eine robuste Leit- und Schaltleistung erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Verlustleistung von 800 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• 1200 V Drain-Source-Nennleistung unterstützt Hochspannungstopologien
• Der kontinuierliche Ablassstrom von 189 A ermöglicht eine starke Leitung
• Rds(on) von 21 mΩ sorgt für geringe Leitungsverluste unter Last
• 195 nC typische Gate-Ladung, geeignet für Hochenergieschaltungen
• Das 7-polige PG-TO263-7-Gehäuse vereinfacht die Oberflächenmontage mit hoher Leistung
• 1200 V Drain-Source-Nennleistung unterstützt Hochspannungstopologien
• Der kontinuierliche Ablassstrom von 189 A ermöglicht eine starke Leitung
• Rds(on) von 21 mΩ sorgt für geringe Leitungsverluste unter Last
• 195 nC typische Gate-Ladung, geeignet für Hochenergieschaltungen
• Das 7-polige PG-TO263-7-Gehäuse vereinfacht die Oberflächenmontage mit hoher Leistung
Anwendungsbereiche
• Geeignet für industrielle Wechselrichter- und Wandlerstufen
• Ideal für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Wird mit Motorantriebs-Leistungsmodulen verwendet, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für Leistungselektronik mit erneuerbarer Energie verwendet werden
• Geeignet für schnelle Schaltkreise mit hoher Energie
• Ideal für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Wird mit Motorantriebs-Leistungsmodulen verwendet, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für Leistungselektronik mit erneuerbarer Energie verwendet werden
• Geeignet für schnelle Schaltkreise mit hoher Energie
In welchem Temperaturbereich kann er unter rauen Bedingungen betrieben werden?
Es funktioniert von -55 °C bis 200 °C und ermöglicht den Einsatz in extremen thermischen Umgebungen.
Wie wirkt sich die Gehäusetyp auf die Montage auf Produktionsplatinen aus?
Das oberflächenmontierbare Format PG-TO263-7 bietet eine kompakte, flache Lösung, die für das automatisierte Löten und die Befestigung von Kühlkörpern optimiert ist.
Wie hoch ist die Gate-Spannungsbeständigkeit für Steuerschnittstellen?
Das Gerät ermöglicht Gate-Spannungen von bis zu 25 V und ist somit mit gängigen Gate-Treiber-Ausgängen kompatibel.
Ist dieses Gerät ein Kanalverstärkungs- oder -depletion-Typ?
Es handelt sich um einen N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der für herkömmliche gate-gesteuerte Schalttopologien geeignet ist.
Verwandte Links
- Infineon IMB Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMB Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMB Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMB Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMB Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMB Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMB Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMB Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7