Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 70 A 273 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U02

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RS Best.-Nr.:
349-115
Herst. Teile-Nr.:
IMZA120R030M1HXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

CoolSiC

Gehäusegröße

PG-TO-247-4-U02

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

56mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

18 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

68nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

273W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Infineon CoolSiC SiC-MOSFET im TO-247-4-Gehäuse basiert auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess, der Leistung und Zuverlässigkeit miteinander verbindet. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC-MOSFET eine Reihe von Vorteilen. Dies umfasst die niedrigsten Gate-Ladungs- und Bauelementekapazitätswerte, die bei 1200-V-Schaltern zu beobachten sind, keine Rückstromverluste der internen kommutierungsfesten Body-Diode, temperaturunabhängig niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie Einschaltcharakteristik.

Klassenbeste Schalt- und Leitungsverluste

Breiter Gate-Source-Spannungsbereich

Robuste und verlustarme Body-Diode für harte Kommutierung

Temperaturunabhängige Abschaltverluste

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