Infineon CoolSiC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 238 A 789 W, 7-Pin PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 349-322
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG65R007M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 238A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 179nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 789W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 238A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 179nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 789W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
MOSFET der CoolSiC-Serie von Infineon, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 238 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IMBG65R007M2HXTMA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät aus Siliziumkarbid, das für Hochspannungsschalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben entwickelt wurde. Es arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich, wodurch es sich für anspruchsvolle thermische Umgebungen eignet, und wird in einem oberflächenmontierbaren Leistungsgehäuse für die Integration in kompakte Baugruppen geliefert.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 8,5 mΩ Rds(on) sorgen für geringe Leitungsverluste und damit für Effizienz
• 238 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• Maximale Verlustleistung von 789 W bewältigt erhebliche thermische Belastungen
• 179 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
• Das oberflächenmontierbare Gehäuse PG-TO263-7 erleichtert die Leiterplattenmontage für die Massenproduktion
• 8,5 mΩ Rds(on) sorgen für geringe Leitungsverluste und damit für Effizienz
• 238 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• Maximale Verlustleistung von 789 W bewältigt erhebliche thermische Belastungen
• 179 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
• Das oberflächenmontierbare Gehäuse PG-TO263-7 erleichtert die Leiterplattenmontage für die Massenproduktion
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Wechselrichter in industriellen Stromversorgungssystemen
• Ideal für Hochleistungs-Motorantriebe und Traktionswandler
• Einsatz mit Umrichtern für erneuerbare Energien und Leistungsoptimierern
• Kann für Hochspannungs-DC/DC-Wandlungsstufen verwendet werden
• Einsatz in unterbrechungsfreien Stromversorgungen und netzgebundenen Systemen
• Ideal für Hochleistungs-Motorantriebe und Traktionswandler
• Einsatz mit Umrichtern für erneuerbare Energien und Leistungsoptimierern
• Kann für Hochspannungs-DC/DC-Wandlungsstufen verwendet werden
• Einsatz in unterbrechungsfreien Stromversorgungen und netzgebundenen Systemen
Welchen thermischen Bereich verträgt es in rauen Installationen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Betrieb in Umgebungen mit extremen Temperaturen.
Welche Einschränkungen des Gate-Antriebs sollten für einen sicheren Betrieb beachtet werden?
Die Gate-to-Source-Spannung darf 23 V nicht überschreiten, um eine Belastung der Gate-Struktur zu vermeiden.
Wie viele Stifte verfügt das Gehäuse aus Gründen des Leiterplattenlayouts?
Die Komponente verfügt über eine siebenpolige Konfiguration, die für eine standardmäßige Oberflächenmontage geeignet ist.
Ist dieses Gerät für kfz-spezifische Zertifizierungsanforderungen geeignet?
Er ist nicht unter die Normen für die Automobilindustrie eingestuft, ist jedoch RoHS-konform.
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