Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 38 A 153 W, 4-Pin IMZA65R050M2HXKSA1
- RS Best.-Nr.:
- 349-338
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZA65R050M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 38A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-4 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 62mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 153W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 38A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße PG-TO247-4 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 62mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 153W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 basiert auf der robusten Siliziumkarbid-Trench-Technologie der 2. Generation von Infineon und liefert eine unvergleichliche Leistung, überragende Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit. Dieser fortschrittliche MOSFET ermöglicht kostengünstige, hocheffiziente und vereinfachte Designs, die den ständig wachsenden Anforderungen moderner Stromversorgungssysteme und Märkte gerecht werden. Er bietet eine leistungsstarke Lösung für eine überragende Systemeffizienz in verschiedenen Anwendungen und gewährleistet optimale Leistung in anspruchsvollen Umgebungen.
Extrem niedrige Schaltverluste
Robust gegen parasitäres Einschalten auch bei 0 V Abschaltspannung am Gate
Flexible Ansteuerspannung und kompatibel mit bipolarem Ansteuerungsschema
Robuster Betrieb von Body-Dioden unter harten Kommutierungsereignissen
Die .XT-Verbindungstechnologie für die beste thermische Leistung ihrer Klasse
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