Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 150 V / 76 A 125 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-397
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC105N15LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
11,91 €
(ohne MwSt.)
14,175 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 03. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,382 € | 11,91 € |
| 50 - 95 | 2,262 € | 11,31 € |
| 100 - 495 | 2,092 € | 10,46 € |
| 500 - 995 | 1,928 € | 9,64 € |
| 1000 + | 1,856 € | 9,28 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-397
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC105N15LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 76A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 76A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Infineon OptiMOS 5 Power MOSFET Logic Level 150 V Familie bietet die gleiche exzellente Leistung wie die OptiMOS 5 150 V Produkte und kann mit nur 4,5 V Vgs betrieben werden. Sie zeichnet sich durch ein verbessertes Wärmemanagement und eine geringere Systemkomplexität aus.
Sehr geringe Schaltverluste
Zugeschnitten auf SR, die 5 V liefern
Hocheffiziente Konstruktionen
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 8-Pin BSC152N15LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 8-Pin BSC088N15LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 8-Pin BSC076N04NDATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal 3-Pin IPB200N15N3GATMA1 TO-263
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin BSC110N15NS5SCATMA1 PG-WSON-8
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal 3-Pin IPP200N15N3GXKSA1 TO-220
