Infineon OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 39 A 125 W, 3-Pin IPB339N20NM6ATMA1 PG-TO263-3

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RS Best.-Nr.:
349-401
Herst. Teile-Nr.:
IPB339N20NM6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

39A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

PG-TO263-3

Serie

OptiMOS-TM6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

33.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15.9nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 200 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er bietet einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)), der minimale Leitungsverluste gewährleistet. Mit einem ausgezeichneten Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) bietet er eine hervorragende Schaltleistung. Dieser MOSFET zeichnet sich außerdem durch eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) aus, was die Gesamteffizienz verbessert.

Pb-freie Bleibeschichtung

RoHS-Konformität

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020

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