Toshiba 2SJ680(Q) P-Kanal, THT MOSFET 200 V / 2.5 A 20000 mW, 3-Pin PW Form2
- RS Best.-Nr.:
- 362-816
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SJ680(Q)
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 362-816
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SJ680(Q)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2.5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V | |
| Gehäusegröße | PW Form2 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Verlustleistung max. | 20000 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 2.3mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 5.5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2.5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 200 V | ||
Gehäusegröße PW Form2 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Verlustleistung max. 20000 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 2.3mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 10 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 5.5mm | ||