ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1.5 A 800 mW, 3-Pin TUMT3
- RS Best.-Nr.:
- 363-364
- Herst. Teile-Nr.:
- RTF015N03TL
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1.5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | TUMT3 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 240 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Verlustleistung max. | 800 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Breite | 1.7mm | |
| Länge | 2mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,6 nC @ 4,5 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 0.77mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 1.5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße TUMT3 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 240 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Verlustleistung max. 800 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Breite 1.7mm | ||
Länge 2mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,6 nC @ 4,5 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 0.77mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor