ROHM N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V, 30 V / 1 A; 1,5 A 1000 mW, 6-Pin TUMT

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RS Best.-Nr.:
363-392
Herst. Teile-Nr.:
US6M2TR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

1 A; 1,5 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V, 30 V

Gehäusegröße

TUMT

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

240 mΩ, 390 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.5V

Verlustleistung max.

1000 mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Gate-Ladung typ. @ Vgs

1,6 nC @ 4,5 V, 2,1 nC @ 4,5 V

Länge

2mm

Breite

1.7mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

0.77mm

Komplexe MOSFETs (P+N) werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

2,5-V-Antriebstyp
Nch+Pch-MOSFET für mittlere Leistung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei
Anwendungen:
Tragbares Datenterminal
Münzverarbeitungsmaschinen
Digitales Multimeter: handlicher Typ
Motorsteuerung: bürstenlose Gleichstrommotoren
Speicherprogrammierbare Steuerung
AC-Servo
Network Attached Storage
DVR/DVS
Motorsteuerung: Schrittmotor
Motorsteuerung: Gleichstrommotoren mit Bürsten
POS (Point-of-Sales-System)
Elektrofahrräder
Eingebetteter PC
Intelligenter Zähler
Überwachungskamera
Röntgeninspektionsmaschine für Sicherheit
Sprechanlage/Babymonitor
Überwachungskamera für Netzwerk
Maschinelle Kamera für industrielle Anwendungen
Gerät zur Authentifizierung per Fingerabdruck
Massefehler-Schutzschalter
Anzeige für EMS
Digitales Multimeter: Tischtyp
Solar-Wechselrichter