ROHM RTR025N03 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2.5 A 1000 mW, 3-Pin TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 363-409
- Herst. Teile-Nr.:
- RTR025N03
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Bestandsabfrage leider nicht möglich
Alternative
Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:
Stück (In einer VPE à 25)
4,08 €
(ohne MwSt.)
4,85 €
(inkl. MwSt.)
- RS Best.-Nr.:
- 363-409
- Herst. Teile-Nr.:
- RTR025N03
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2.5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | TSMT | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 92 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Verlustleistung max. | 1000 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Länge | 2.9mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3,3 nC @ 4,5 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 1.6mm | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2.5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße TSMT | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 92 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Verlustleistung max. 1000 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Länge 2.9mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 3,3 nC @ 4,5 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 1.6mm | ||
Höhe 0.85mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||