ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2 A 2000 mW, 4-Pin MPT
- RS Best.-Nr.:
- 363-483
- Herst. Teile-Nr.:
- RJP020N06T100
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 363-483
- Herst. Teile-Nr.:
- RJP020N06T100
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | MPT | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 240 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Verlustleistung max. | 2000 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5 nC @ 4 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 2.5mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 4.5mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße MPT | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 240 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Verlustleistung max. 2000 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 5 nC @ 4 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 2.5mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 4.5mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
- Ursprungsland:
- JP