Toshiba 2SK 2SK3658(TE12L,F) N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2 A 1,5 W, 4-Pin PW Mini
- RS Best.-Nr.:
- 415-235
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3658(TE12L,F)
- Marke:
- Toshiba
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,293 € | 2,93 € |
| 50 - 190 | 0,229 € | 2,29 € |
| 200 - 490 | 0,222 € | 2,22 € |
| 500 - 990 | 0,214 € | 2,14 € |
| 1000 + | 0,21 € | 2,10 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 415-235
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3658(TE12L,F)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | PW Mini | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 300 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 1,5 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5 nC @ 10 V | |
| Breite | 2.5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 4.6mm | |
| Serie | 2SK | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße PW Mini | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 300 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Verlustleistung max. 1,5 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 5 nC @ 10 V | ||
Breite 2.5mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 4.6mm | ||
Serie 2SK | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 1.6mm | ||